日本東京首都大學的教授清水敏久(研討生院理工學研討科電氣電子工學專業(yè))認為：鐵氧體黑磁“電力電子器件僅靠SiC和GaN無法進化”。清水教授介紹說，在以前40多年中，電力電子產品的功率密度一貫是以每15年前進10倍的速度前進?？墒牵缃窨煲诌_功率密度前進的技術極限了。

這兒所說的功率密度是指電力電子設備的輸出功率除以其體積得到的數(shù)值。清水教授指出，盡管功率半導體的功率在逐年前進，SiC及GaN等新式半導體逐步投入使用，但仍有技術極限，這是因為“(其他部件的)體積占分配方位”。以輸出功率為10kW的最新式電力電子設備(變頻器)為例，在整個產品中，功率半導體的體積不逾越15%傳感器磁鐵，噪聲濾波器和滑潤電容器各占30%，高頻變壓器占25%。功率半導體以外的部件的展開才華有用前進產品的功率密度。

鑒于這種情況，清水教授側重，往后要想前進電力電子設備的功率密度，關鍵是推動支持著功率半導體的受動元件的展開(圖2)。他認為，受動元件中分外重要的是變壓器和濾波器等磁性器件。


作者：東陽市卓越電磁材料廠
關鍵詞：傳感器磁鐵，鐵氧體黑磁